今天小编要和大家分享的是体效应管简介 体效应管工作原理,接下来我将从简介,工作原理,体效应管的阴极结构,外延材料选择的关键,这几个方面来介绍。

体效应管简介 体效应管工作原理

体效应管是利用某些半导体导带的特殊结构,在强电场作用下能产生振荡或放大作用的一种半导体器件。

体效应管简介,体效应管工作原理,外延材料选择的关键等信息资料

简介

在这种器件中,当外加电压超过某一阈值时,它的电流随着电压增加反而减小,出现了负阻效应,放大和振荡就是利用其负阻效应产生的。由于这种器件的负阻效应发生在某些n型半导体的整个晶片体内,所以称为“体效应管”。是一种重要的固体微波器件。制造体效应管所用的半导体材料主要是砷化镓。

体效应管的典型类型是单结晶体管,常用型号BT33等。

工作原理

易发彩登陆在n型GaAs外延材料两端加电压时,当外加电压使有源区内电场达到3千伏/厘米后,低能谷中的电子便可以从电场中获得足够的能量,跃迁到高能谷中去。由于高能谷中电子的有效质量增大,由此迁移率降低,平均漂移速度减小,电导下降,产生负阻效应,引起微波振荡,震荡频率反比与有源层的厚度。

体效应管的阴极结构

体效应管的阴极结构直接影响有源区内部的电场分布,因而对器件的直流参数、微波参数及转换效率都有很大影响。比较常见的GaAs体效应管多采用欧姆阴极结构。

欧姆阴极体结构的效应二极管,即在有源区外生长一层重掺杂层以降低接触电阻,改善欧姆接触性能。此种阴极结构在阴极附近有一个低于阈值电场的正阻耗能区,称为阴极无源区。电场分布向阳极单调增加。在阴极无源区中的电子还没开始跃迁,需要经过相当一段距离的电场加速后,才能获得足够的能量完成谷间的电子转移,在这段区域内不能参与提供功率输出。由于阴极无源区的存在,降低了器件的转换效率。这种由于阴极无源区的存在导致转换效率降低的现象,在有源区相对较短的器件中,如工作于毫米波频段内的器件中表现的尤为突出。

外延材料选择的关键

易发彩登陆1。低背景杂质浓度外延层生长的控制;

2.衬底自杂志效应与n+缓冲层生长的控制;

3.载流子浓度差高达五个数量级的不同外延层连续生长的控制;

4.有源层载流浓度梯度控制。

关于体效应管,电子元器件资料就介绍完了,您有什么想法可以联系小编。

  • 万用表测量交流、直流电压,区分火线和零线,就是这么简单
  • 判断空开和漏保的好坏,电笔比万用表还好用,可算长见识了
  • 空开和漏保:A、B、C、D系列有什么区别?跟着老电工长长见识
  • 电线接头一受潮就漏电,电工胶布这样缠,就算泡水里也不会漏电
  • 插座一用电就跳闸,原来是零线共用惹的祸,老电工轻松解决了